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MRF581中文资料

MRF581图片

MRF581外观图

  • 大小:240.4KB
  • 厂家:MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • 描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:RF 晶体管 (BJT)
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):18V
  • 频率 - 转换:5GHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率):3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
  • 增益:13dB ~ 15.5dB
  • 功率 - 最大:1.25W
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 50mA,5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:微型-X 陶瓷 84C
  • 供应商设备封装:Micro-X 陶瓷(84C)
  • 包装:散装
  • 其它名称:MRF581MIMRF581MI-ND

MRF581供应商

更新时间:2023-01-05 10:26:28
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